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龙图腾网获悉太行国家实验室申请的专利一种异质铺层熔渗工艺CMC复合材料构件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121517215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610049802.4，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种异质铺层熔渗工艺CMC复合材料构件及其制备方法是由李明星;雷力明;刘善华;章劲草设计研发完成，并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质铺层熔渗工艺CMC复合材料构件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及陶瓷基复合材料领域，公开了一种异质铺层熔渗工艺CMC复合材料构件及其制备方法，针对航空发动机热端部件等复杂形状构件，在构件平滑过渡区域或高温区域采用同时具有界面层和保护层的较厚陶瓷涂层的SiC纤维铺层，从而在CMC复合材料构件成型工艺过程或服役环境下保护界面层和SiC纤维；在仅需提供有限界面增韧与腐蚀防护作用的复杂型面曲面区域、相对较低应力水平或温度环境的区域，采用仅具有界面层或界面层与小厚度保护层的较薄陶瓷涂层的SiC纤维铺层，以提供弱界面结合，从而实现裂纹偏转和纤维拔出等增韧机制。本发明能够充分发挥铺层结构CMC的可设计性，且能使得CMC复合材料在整体上实现复杂结构成型制造性能与服役性能的协同提升。

本发明授权一种异质铺层熔渗工艺CMC复合材料构件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质铺层熔渗工艺CMC复合材料构件制备方法，其特征在于，包括： 根据CMC复合材料构件不同区域的几何结构与服役工况下每个区域的载荷分布，进行所述CMC复合材料构件每个区域的铺层材料选择；其中曲率半径小于预设曲率阈值的区域、应力水平小于预设应力阈值的区域或工作位温度小于预设温度阈值的区域，选用具有薄陶瓷涂层SiC纤维预浸料作为铺层材料进行铺层，所述薄陶瓷涂层SiC纤维预浸料为表面仅沉积有界面层或界面层外成型有厚度小于预设厚度阈值的保护层的SiC纤维形成的预浸料；在曲率半径大于等于所述预设曲率阈值的区域且应力水平大于预设应力阈值的区域且工作位温度大于预设温度阈值的区域，选用具有厚陶瓷涂层SiC纤维预浸料作为铺层材料进行铺层，所述厚陶瓷涂层SiC纤维预浸料为表面依次沉积有界面层和厚度大于等于预设厚度阈值的保护层的SiC纤维形成的预浸料；所述界面层的陶瓷涂层沉积材料为氮化硼或硅掺杂氮化硼，所述保护层的陶瓷涂层沉积材料为SiC、氮化硅、硅掺杂氮化硼或热解碳中的一种或多种叠层形成的多层结构； 根据CMC复合材料构件的几何形状，按照每个区域确定的铺层材料进行对应区域层叠与成型，获得CMC复合材料构件的预制体； 对所述预制体进行碳化处理，将碳化处理后的预制体在熔融的硅源中进行熔渗处理，获得异质铺层熔渗CMC复合材料构件。

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