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龙图腾网获悉安庆师范大学申请的专利基于水位调控的内源污染削减水处理方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121537064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610058108.9，技术领域涉及：C02F3/32；该发明授权基于水位调控的内源污染削减水处理方法及装置是由张晓可;王慧丽;张婷玉;张四刚;韩小勇;汪存石;毛晓霞;许一设计研发完成，并于2026-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于水位调控的内源污染削减水处理方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及水体内源污染控制与生态修复技术领域，尤其涉及一种基于水位调控的内源污染削减水处理方法及装置。本发明装置在湖泊或水库岸带保留底泥层，上覆滤水介质和含吸附剂的改性基质，表层栽植通气组织发达的挺水植物，使根系穿透基质进入底泥形成根区‑底泥接触带。通过闸坝等设施实施小幅、缓慢、周期性的升水–稳水–降水调度，驱动底泥水体在根区与底泥之间往复渗流，使底泥中氮、磷等内源污染物脱附并在根区及改性基质中被吸附、沉淀或植物吸收，结合季末收割实现净移除。本发明无需大规模疏浚和药剂，即可降低岸带底泥与上覆水中营养盐浓度，工程扰动小、运行简便，适用于富营养化水体岸带内源污染治理。

本发明授权基于水位调控的内源污染削减水处理方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于水位调控的内源污染削减水处理方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 在水体岸带或近岸浅水区布设净化单元，所述净化单元包括依次铺设的底泥层和根区基质层，在所述根区基质层上栽植根系伸入所述根区基质层并进一步进入底泥层的挺水植物，形成挺水植物根区-底泥接触带； 计算用于反映包括水位升降幅度、有效根系深度、有效底泥厚度及净化单元长度之间综合耦合强度的根区-底泥耦合系数，并控制在预设范围内，计算公式为： ； 其中，为在一个水位调控周期内实施的水位升降幅度；为挺水植物有效根系深度，即根系在大部分运行时间内能够稳定伸入底泥的深度；为有效底泥厚度；为净化单元沿岸线方向的有效长度； 所述根区-底泥耦合系数的预设范围满足： ； 当时，通过增大水位升降幅度或延长净化单元长度提高根区–底泥耦合强度；当时，通过减小水位升降幅度或减小有效根系深度限制升降水对底泥结构的扰动强度； 基于根区-底泥耦合系数对与所述净化单元连通的外部水体实施周期性水位调控，用以驱动底泥间隙水在垂向上往返迁移并在挺水植物根区-底泥接触带内实现内源污染物的多轮吸附脱附循环，实施所述周期性水位调控包括： 外部水体在任一水位调控周期内的缓慢升水阶段、高水位维持阶段以及缓慢降水阶段，其中： 缓慢升水阶段：使外侧水位在水位调控周期上升段从初始水位升高，推动底泥间隙水向上进入挺水植物根区及根区基质层； 高水位维持阶段：在升高的水位下保持预设时间，使底泥间隙水中的内源污染物在挺水植物根区及根区基质层中发生吸附、吸收和或沉淀固定； 缓慢降水阶段：使外侧水位在水位调控周期下降段回落至所述初始水位或低于所述初始水位，促进底泥孔隙水回落，完成一次底泥脱附–根区吸附循环； 所述缓慢升水阶段和缓慢降水阶段的水位升降速率控制在1～10cmd，并满足下式： ； 其中，为控制底泥内对流–扩散过程的佩克勒数；为有效扩散系数；为预设上限，以避免因对流占优导致底泥结构破坏和内源污染物瞬时大量释放；为有效底泥厚度； 以目标内源污染削减率为目标重复实施周期性水位调控，直至实测内源污染物削减率满足，随后对挺水植物进行收割和或对富集污染物的根区基质层进行部分更换，从水体系统中移除所固定的内源污染物。

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