山西师范大学全志勇获国家专利权
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龙图腾网获悉山西师范大学申请的专利一种三维宽场线性磁传感器和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121541111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610085114.3，技术领域涉及：H10N52/01；该发明授权一种三维宽场线性磁传感器和制备方法是由全志勇;刘欢;杨书懿;刘晋楠;张伟;许小红设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维宽场线性磁传感器和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维宽场线性磁传感器及制备方法，属于磁传感器技术领域。所述传感器采用CrPtCoTa多层膜结构，该结构从下至上依次层叠于热氧化的Si基片，其中Cr层为轨道流源层，Pt层为轨道流‑自旋流转换层及自旋流源层，Co层为磁性层，Ta层为保护层及自旋流源层；制备时先通过超高真空磁控溅射系统按特定工艺沉积各层，再经激光直写、Ar离子刻蚀等微加工制成四端霍尔巴器件。该传感器x、y方向灵敏度均≥200V·A‑1·T‑1且线性响应范围≥±60Oe，z方向灵敏度≥1900V·A‑1·T‑1且线性响应范围≥±10Oe，可通过单器件实现三维磁场探测，显著缩小体积、提升集成度，适用于机器人微型传感、芯片级磁定位等小型化设备场景。
本发明授权一种三维宽场线性磁传感器和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维宽场线性磁传感器，其特征在于，包括从下至上依次层叠于热氧化的Si基片上的Cr层、Pt层、Co层和Ta层，形成CrPtCoTa多层膜结构；所述Cr层为轨道流源层，Pt层为轨道流-自旋流转换层和自旋流源层，Co层为磁性层，Ta层为保护层和自旋流源层； 所述传感器在面内x方向和y方向的灵敏度均≥200V·A-1·T-1，且线性响应范围均≥±60Oe，在面外z方向的灵敏度≥1900V·A-1·T-1，且线性响应范围≥±10Oe； 所述Cr层的厚度为0.8-3nm，纯度≥99.99%；所述Pt层的厚度为0.8-1.2nm，纯度≥99.99%； 所述Co层的厚度为0.8-1.2nm，纯度≥99.99%；所述Ta层的厚度为0.8-2nm，纯度≥99.99%。
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