深圳科摩思智能科技有限公司夏俊杰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳科摩思智能科技有限公司申请的专利一种基于多目标优化的安全储存芯片能耗优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121541767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610050673.0,技术领域涉及:G06F1/3234;该发明授权一种基于多目标优化的安全储存芯片能耗优化方法是由夏俊杰;林华胜设计研发完成,并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于多目标优化的安全储存芯片能耗优化方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于多目标优化的安全储存芯片能耗优化方法,涉及能耗优化技术领域,包括,将候选参数集合的安全储存芯片阈值电压分布特征输入老化模型,在加速老化条件下拟合阈值电压分布特征随时间变化的规律,得到老化模型参数;使用老化模型参数计算安全储存芯片在目标寿命周期内的数据留存失效率,并结合数据留存判定标准,获取即时擦除安全约束与长期留存安全约束的扩展可行域;在扩展可行域中建立以降低运行能耗和减少维护能耗为优化目标的多目标优化函数,并通过多目标优化算法得到候选解集。本发明实现寿命周期内的数据留存预测,使能耗优化与长期可靠性约束结合。
本发明授权一种基于多目标优化的安全储存芯片能耗优化方法在权利要求书中公布了:1.一种基于多目标优化的安全储存芯片能耗优化方法,其特征在于:包括, 采集安全储存芯片在不同擦除电压、擦除脉冲宽度、擦除脉冲次数、结温以及并行度条件下的擦除过程能耗数据和安全储存芯片阈值电压分布特征,建立基础数据集; 根据基础数据集计算擦除强度指标,结合安全擦除标准获取擦除强度阈值,并筛选候选参数集合; 将候选参数集合的安全储存芯片阈值电压分布特征输入老化模型,在加速老化条件下拟合阈值电压分布特征随时间变化的规律,得到老化模型参数; 使用老化模型参数计算安全储存芯片在目标寿命周期内的数据留存失效率,并结合数据留存判定标准,获取即时擦除安全约束与长期留存安全约束的扩展可行域; 在扩展可行域中建立以降低运行能耗和减少维护能耗为优化目标的多目标优化函数,并通过多目标优化算法得到候选解集; 对候选解集进行实机验证与校正,选取满足擦除强度约束和数据留存约束且能耗优化效果最佳的安全储存芯片运行参数配置,并进行安全储存芯片能耗优化。
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