深圳市星汉激光科技股份有限公司周少丰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利一种双重热漂移抑制的高功率激光芯片及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121546431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610070075.X，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种双重热漂移抑制的高功率激光芯片及制备工艺是由周少丰;丁亮;方子勋;吕天健;罗军波设计研发完成，并于2026-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双重热漂移抑制的高功率激光芯片及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种双重热漂移抑制的高功率激光芯片及制备工艺，涉及激光芯片技术领域，该芯片通过在P型欧姆接触层下方的两侧对称设置由折返式微梁连接的负泊松比应变反转结构，利用热膨胀驱动的物理补偿机制，将受热产生的纵向膨胀转化为对有源区的横向拉伸应变，以此拓宽能带并抵消温升导致的带隙减小，实现接近零红移的激射输出，同时，在有源区与欧姆接触层间嵌入梯度声子晶体热流引导层，通过纳米孔洞密度的空间梯度分布实现热流向芯片侧翼定向偏转，配合侧翼的高热导通道消除热透镜效应，解决了传统激光芯片在高功率连续工作下波长漂移严重及热量积聚导致光束质量恶化的难题，显著提升了输出功率上限和稳定性。
本发明授权一种双重热漂移抑制的高功率激光芯片及制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种双重热漂移抑制的高功率激光芯片，其特征在于：所述激光芯片包括衬底1，所述衬底1上表面依次设有N型布拉格反射底层2、多量子阱自增益有源区3、应力缓冲层6、P型欧姆接触层9和N型背面电极10，所述P型欧姆接触层9下方的两侧对称设有负泊松比应变反转结构4，所述负泊松比应变反转结构4通过折返式微梁连接，用于将芯片受热产生的纵向膨胀转化为对多量子阱自增益有源区3的横向拉伸应变，所述P型欧姆接触层9与多量子阱自增益有源区3之间嵌入有梯度声子晶体热流引导层5，所述梯度声子晶体热流引导层5通过纳米孔洞密度的空间梯度分布改变声子平均自由程，实现热流向芯片侧翼的定向偏转。
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