合肥晶合集成电路股份有限公司崔立加获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610069536.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制作方法是由崔立加;余义祥设计研发完成，并于2026-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体领域，本发明改变现有技术中鳍式晶体管的制作工艺中应力硅技术的工序，将源极、漏极应力硅技术外延提前到鳍部形成之前，利用鳍部上的硬质掩模层采用自对准技术直接刻蚀出鳍部，意想不到的技术效果是：本发明无需考虑硬质掩模层去除工艺，后续沉积层间介质层后通过通孔工艺即可将源极、漏极和栅极引出，也无需考虑高载流子迁移率半导体材料的高难度外延技术，简化了生产工艺和降低了控制难度。本发明采用先形成阱区然后外延形成MOS区的方法，配合鳍部外延技术，使得本发明可以将应力硅技术延伸到栅极内部增加沟道载流子迁移速率，能耗更低，可以制作高质量的鳍式晶体管。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体衬底； 在半导体衬底上分别形成P阱区和N阱区； 在半导体衬底上依次制作外延硅层和第一牺牲层； 在外延硅层上刻蚀第一凹槽，其中第一凹槽延伸至半导体衬底的P阱区或N阱区； 在第一凹槽内外延生长高载流子迁移率的半导体材料，形成N沟道和P沟道的鳍部； 回刻栅极区域以外的鳍部，并在回刻的鳍部顶部沉积硬质掩模层； 移除第一牺牲层，露出鳍部； 以硬质掩模层作为阻挡层，在栅极区域以外鳍部两侧及底部注入相应的离子，形成有源区； 在栅极区制作栅极； 刻蚀栅极区域以外鳍部两侧的有源区制作隔离结构，完成半导体结构制作。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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