浙江拓感科技有限公司张国星获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江拓感科技有限公司申请的专利一种耐刻蚀性复合硬掩膜的制备方法及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121578582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610098837.7,技术领域涉及:G03F1/68;该发明授权一种耐刻蚀性复合硬掩膜的制备方法及其应用是由张国星;张传杰;雷华伟设计研发完成,并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐刻蚀性复合硬掩膜的制备方法及其应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种耐刻蚀性复合硬掩膜的制备方法及其应用,包括以下步骤:S1、在待刻蚀的基底表面上旋涂负性光刻胶,经软烤后固化得到底层光刻胶层;S2、在底层光刻胶层上旋涂正性光刻胶,经软烤后固化得到顶层光刻胶层;S3、在顶层光刻胶层上覆盖具有预设图案的光刻板,经曝光、曝光后烘烤、显影后,形成图案化光刻胶层;S4、对图案化光刻胶层进行泛曝光处理,使顶层光刻胶层被曝光,被覆盖的底层光刻胶层未被曝光,然后经化学气相沉积在图案化光刻胶层上制备金属膜层,经显影处理后,得到所述耐刻蚀性复合硬掩膜。上述复合硬掩膜制备方法简单,刻蚀阻挡效果好,满足深刻蚀工艺的需求,且刻蚀完后,可快速无损去除基底表面的硬掩膜,提高产品良率。
本发明授权一种耐刻蚀性复合硬掩膜的制备方法及其应用在权利要求书中公布了:1.一种耐刻蚀性复合硬掩膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、在待刻蚀的基底表面上旋涂负性光刻胶,经软烤后固化得到底层光刻胶层; S2、在所述底层光刻胶层上旋涂正性光刻胶,经软烤后固化得到顶层光刻胶层; S3、在所述顶层光刻胶层上覆盖具有预设图案的光刻掩膜板,经曝光、曝光后烘烤及显影处理后,顶层光刻胶层曝光区域被去除,底层光刻胶层曝光区域固化,同时被顶层光刻胶层未曝光区域覆盖的底层光刻胶层未曝光区域被保留,形成图案化光刻胶层; S4、对所述图案化光刻胶层进行泛曝光处理,控制曝光剂量,使剩余的顶层光刻胶层被曝光,而被剩余的顶层光刻胶层覆盖的底层光刻胶层区域未被曝光,然后经物理和或化学气相沉积在图案化光刻胶层上制备金属膜层,经显影处理后,剩余的顶层光刻胶层及其表面沉积的金属被去除,同时底层光刻胶层未被曝光区域也被去除,而被曝光的底层光刻胶层及其表面的金属膜层被保留,得到所述耐刻蚀性复合硬掩膜;所述泛曝光的曝光剂量为50-90mJcm2。
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