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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利基于二次电子的极紫外反射镜表面锡污染层厚度检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121594805B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610123520.4，技术领域涉及：G01B15/02；该发明授权基于二次电子的极紫外反射镜表面锡污染层厚度检测方法是由卢启鹏;柴克玮;宋源;龚学鹏;张振设计研发完成，并于2026-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于二次电子的极紫外反射镜表面锡污染层厚度检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及极紫外光学元件检测技术领域，尤其涉及一种基于二次电子的极紫外反射镜表面锡污染层厚度检测方法。包括：设置沉积不同厚度锡污染层的极紫外多层膜反射镜的测量节点；计算不同厚度下锡污染层表面激发的二次电子产率；设计二次电子激发和电子产率测量装置的结构，并建立高能电子运动模型，设置环境条件和参数；确定高能电子的入射参数，确保每次模拟过程激发二次电子的条件相同；计算二次电子的特征信息，分析二次电子的动态特征；针对高能电子运动模型中的随机变量进行多次模拟；对比不同锡污染层厚度下的二次电子激发数量，求解二次电子产率随锡厚度的变化曲线，拟合数据验证计算结果并优化模型。优点在于实现原位、无损、精确的测量。

本发明授权基于二次电子的极紫外反射镜表面锡污染层厚度检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二次电子的极紫外反射镜表面锡污染层厚度检测方法，其特征在于：具体包括如下步骤： S1.设置沉积不同厚度锡污染层的极紫外多层膜反射镜的测量节点；所述极紫外多层膜反射镜的基底为具备抗氧化、抗侵蚀特性的光学适配基底； S2.基于电子在锡材料的穿透深度和二次电子逃逸概率特征，计算不同厚度下锡污染层表面激发的二次电子产率；所述二次电子产率的公式如下： ； 式中，E0表示入射高能电子的初始能量；Rd表示电子在锡材料中的穿透深度，即高能电子能进入锡污染层的最大深度；表示二次电子在锡污染层深度x处的逃逸概率；表示在锡污染层深度x处、入射能量为E0时，单位体积内激发的二次电子数量；B表示与温度相关的常数；表示二次电子所需的能量；λ表示粒子逃逸特性长度； S3.设计二次电子激发和电子产率测量装置的结构，并建立高能电子运动模型，设置环境条件和参数； S4.确定高能电子的入射参数，确保每次模拟过程激发二次电子的条件相同； S5.计算二次电子的特征信息，分析二次电子的动态特征； S6.针对高能电子运动模型中的随机变量，进行多次模拟，直至连续多次模拟结果的偏差小于预设阈值； S7.对比不同锡污染层厚度下的二次电子激发数量，求解二次电子产率随锡厚度的变化曲线，拟合数据验证计算结果并优化模型，实现无损检测。

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