深圳辰达半导体有限公司马奕勉获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳辰达半导体有限公司申请的专利含渐变掺杂外延层的新型分裂栅MOS管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121604468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610117173.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权含渐变掺杂外延层的新型分裂栅MOS管及其制备方法是由马奕勉;马奕俊设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本含渐变掺杂外延层的新型分裂栅MOS管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制备技术领域，具体公开了一种含渐变掺杂外延层的新型分裂栅MOS管及其制备方法，所述MOS管包括衬底；依次设置在衬底一侧的第一外延层、第二外延层和第三外延层；设置在第一外延层和第二外延层之间的第一渐变层，设置在第二外延层和第三外延层之间的第二渐变层；所述第一渐变层的掺杂浓度为指数型渐变浓度，所述第二渐变层的掺杂浓度为高斯型渐变浓度；其中，第二外延层的掺杂元素包括C和Ge；本发明掺杂梯度在外延生长阶段直接成型，并通过质量流量控制实现指数型与高斯型非线性掺杂分布，避免了高温扩散对梯度曲线的重塑影响，使电场峰值稳定锁定在衬底侧，实现BV与Rdson的解耦协同优化。
本发明授权含渐变掺杂外延层的新型分裂栅MOS管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含渐变掺杂外延层的新型分裂栅MOS管，其特征在于，所述MOS管包括： 衬底； 依次设置在衬底一侧的第一外延层、第二外延层和第三外延层； 设置于第三外延层远离衬底一侧的P型体区；所述P型体区上设有向衬底方向刻蚀的主沟槽； 设置在第一外延层和第二外延层之间的第一渐变层，设置在第二外延层和第三外延层之间的第二渐变层；所述第一渐变层的掺杂浓度为指数型渐变浓度，所述第二渐变层的掺杂浓度为高斯型渐变浓度；其中，第二外延层的掺杂元素包括C和Ge； 在主沟槽中基于第三外延层向衬底方向延伸的分裂栅沟槽； 设置在沟槽两侧顶部的N+源极区和P+接触区； 设置在器件表面的沉积金属层，所述金属层采用AlCu和TiN堆叠结构，所述金属层与N+源极区及P+接触区实现欧姆接触； 设置在金属层上的钝化层，钝化层的材料为SiN，设置在衬底远离第一外延层一侧的背面漏极金属，所述背面漏极金属为Au和Ti堆叠结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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