上海邦芯半导体科技有限公司唐乐获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种静电吸盘及等离子体处理设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121604780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610113510.2,技术领域涉及:H10P72/72;该发明授权一种静电吸盘及等离子体处理设备是由唐乐;梁洁;涂乐义;张朋兵;李可;顾橙蕾设计研发完成,并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种静电吸盘及等离子体处理设备在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体处理设备技术领域,尤其涉及一种静电吸盘及等离子体处理设备,包括基座、介电层、边缘环和环形密封件,基座的顶部设有外凸的支撑台;介电层设于支撑台的顶部;粘合层设于支撑台和介电层之间;边缘环的内缘环部设置有从顶部向底部方向凹陷的环形凹槽;环形密封件包括第二密封环、以及设置于所述第二密封环两端的第一密封环和第三密封环;本发明有效密封晶圆与边缘环之间的缝隙,从而显著阻隔等离子体侵入粘合层所在区域,解决了现有技术中因等离子体长期侵蚀导致粘合层失效、介电层与基座分离的技术难题,提升了静电吸盘在等离子体环境下的长期工作可靠性和晶圆制程的连续性。
本发明授权一种静电吸盘及等离子体处理设备在权利要求书中公布了:1.一种静电吸盘,其特征在于,包括: 基座,顶部设有外凸的支撑台; 介电层,设于所述支撑台的顶部,用于承载晶圆; 粘合层,设于所述支撑台和所述介电层之间以用于粘接所述支撑台和所述介电层; 边缘环,设于所述基座的顶部的外缘环部并间隙围设于所述支撑台外,所述边缘环的内缘环部设置有从顶部向底部方向凹陷的环形凹槽; 环形密封件,包括第二密封环、以及设置于所述第二密封环两端的第一密封环和第三密封环,其中,所述第二密封环的材质采用聚四氟乙烯,所述第一密封环和所述第三密封环的材质均采用全氟醚橡胶,所述第一密封环活动设于所述环形凹槽内,所述第三密封环与所述介电层上所吸附的所述晶圆抵接,使当所述晶圆受到所述介电层的吸附力时,所述晶圆能挤压所述环形密封件以密封所述晶圆与所述边缘环之间的缝隙,从而避免等离子体渗入侵蚀所述粘合层; 所述环形凹槽的槽底设有向上延伸的环形隔离凸台,以将所述环形凹槽分隔为内安装槽和围设于所述内安装槽外的外引导槽,所述外引导槽的轴向截面呈弧形结构,且所述外引导槽靠近所述介电层的第一侧壁低于其远离所述介电层的第二侧壁,所述第一密封环活动设置在所述外引导槽内,以在所述第一密封环受到所述第二密封环向下的抵触力时,所述第一密封环在所述外引导槽内滑动。
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