上海车仪田科技有限公司刘新阳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海车仪田科技有限公司申请的专利半导体外延层生长参数的反演方法、系统、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121641304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610155165.9，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权半导体外延层生长参数的反演方法、系统、设备及存储介质是由刘新阳;张黎明;邢陈陈设计研发完成，并于2026-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延层生长参数的反演方法、系统、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体外延层生长参数的反演方法、系统、设备及存储介质，涉及半导体检测技术领域，本申请预先将光学参数设置为随波长和组分变化的函数，并存储在数据库中，每次迭代时依据当前的生长参数从数据库动态查询获得，再基于该光学参数和传输矩阵计算得到预测反射光谱，使预测反射光谱能够随迭代实时匹配材料光学常数随组分波动的实际变化，从而避免传统固定光学常数模型在外延生长中将折射率变化误判为厚度或生长速率异常的问题。进一步地，本申请的动态查询机制，使厚度、组分在统一的目标函数和物理模型约束下，同步迭代更新并联合收敛，从而能够在生长过程中持续输出更高精度、物理一致性更强的组分与厚度反演结果。
本发明授权半导体外延层生长参数的反演方法、系统、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延层生长参数的反演方法，其特征在于，所述方法包括: 获取半导体外延生长过程中当前迭代次数对应的实测反射光谱以及生长参数；所述生长参数包括厚度和组分； 基于所述生长参数，从预设数据库中查询得到光学参数，所述光学参数包括折射率和消光系数，所述光学参数为随波长和组分变化的函数； 基于预设的传输矩阵、所述光学参数和厚度计算得到预测反射光谱； 基于所述预测反射光谱和所述实测反射光谱计算目标差异，基于所述目标差异逐步更新所述生长参数，直至满足迭代条件，将满足迭代条件时的生长参数的数值作为反演结果。
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