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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种MOSFET版图及MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224083958U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520197895.6，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种MOSFET版图及MOSFET器件是由党晓军;董建新;衷世雄设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET版图及MOSFET器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MOSFET版图及MOSFET器件，第一源极金属区和源极金属连接区的交界处设置有第一电阻调节区；所述第二源极金属区和源极金属连接区的交界处设置有第二电阻调节区。本申请通过版图调整，在固定区域添加一个所述电阻调节区，形成一个源栅极电阻和源漏极电容的串联回路来吸收因为MOSFET体二极管反向恢复导致的Vds振荡电压。

本实用新型一种MOSFET版图及MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET版图，其特征在于，包括：栅极金属连接区、栅极金属区和源极金属区； 所述栅极金属区包括第一栅极金属区和第二栅极金属区，所述栅极金属连接区两端分别连接所述第一栅极金属区和第二栅极金属区； 所述源极金属区包括第一源极金属区、第二源极金属区和第三源极金属区；所述源极金属连接区两端分别连接所述第一源极金属区和第二源极金属区；所述第三源极金属区设置在所述第一栅极金属区、栅极金属连接区和第二栅极金属区围成的区域中；且所述第三源极金属区与所述源极金属连接区连接； 所述第一栅极金属区分别与所述第一源极金属区和第三源极金属区间隔设置，所述第三源极金属区与所述栅极金属连接区间隔设置，所述第二栅极金属区分别与所述第二源极金属区和第三源极金属区间隔设置； 所述第一源极金属区和第二源极金属区上均对应设置有第一源极接触孔区和第二源极接触孔区；所述第一栅极金属区和第二栅极金属区上均对应设置有第一栅极接触孔区和第二栅极接触孔区；其中，所述第一源极接触孔和第一栅极接触孔设置在所述第三源极金属区一侧，所述第二源极接触孔和第二栅极接触孔设置在所述第三源极金属区另一侧； 所述第三源极金属区上间隔设置有第三源极接触孔区和第四源极金属区，所述第一源极接触孔区、第一栅极接触孔区及第二源极接触孔区、第二栅极接触孔区交错设置在所述第四源极金属区的两端； 所述第一源极金属区和源极金属连接区的交界处设置有第一电阻调节区； 所述第二源极金属区和源极金属连接区的交界处设置有第二电阻调节区； 其中，所述栅极金属连接区和所述第二栅极金属区之间交界处设置有栅极引出区。

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