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龙图腾网获悉厦门未来显示技术研究院有限公司申请的专利一种高压发光二极管芯片、芯片转移结构及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224083975U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520738195.3，技术领域涉及：H10H20/81；该实用新型一种高压发光二极管芯片、芯片转移结构及电子设备是由林桂云;黄旭;耿佳杰;柯志杰;崔恒平设计研发完成，并于2025-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压发光二极管芯片、芯片转移结构及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种高压发光二极管芯片、芯片转移结构及电子设备，涉及半导体器件技术领域。高压发光二极管芯片包括介质层；第一发光外延层至第N发光外延层，第一发光外延层至第N发光外延层均位于所述介质层一侧。覆盖所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的裸露表面第一绝缘层，以及第一焊盘、第一连接导线至第N‑1连接导线和第二焊盘。本申请提供的技术方案，高压发光二极管芯片的发光外延层位于介质层上，从而省去了现有芯片中的蓝宝石等衬底结构，从而避免了衬底结构对芯片的大小造成限制的问题，使得高压发光二极管芯片的结构简单且体积更小，提高了高压发光二极管芯片的设计灵活性和产出良率，更加符合市场发展需求。

本实用新型一种高压发光二极管芯片、芯片转移结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种高压发光二极管芯片，其特征在于，所述高压发光二极管芯片包括： 介质层； 第一发光外延层至第N发光外延层，所以第一发光外延层至所述第N发光外延层均位于所述介质层一侧，且任意一个发光外延层包括位于所述介质层上且依次叠加的第一半导体层、发光层和第二半导体层，N为大于1的整数； 第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的裸露表面，且所述第一绝缘层包括裸露所述第一半导体层的第一镂空区，及裸露所述第二半导体层的第二镂空区； 第一焊盘、第一连接导线至第N-1连接导线和第二焊盘，所述第一焊盘位于所述第一发光外延层的所述第一镂空区处，且所述第一焊盘与所述第一发光外延层的所述第一半导体层电连接；所述第二焊盘位于所述第N发光外延层的所述第二镂空区处，且所述第二焊盘与所述第N发光外延层的所述第二半导体层电连接；第i连接导线的两端部分别位于第i发光外延层的所述第二镂空区处和第i+1发光外延层的所述第一镂空区处，所述第i连接导线电连接所述第i发光外延层的所述第二半导体层和所述第i+1发光外延层的所述第一半导体层，i为小于N的正整数。

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