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龙图腾网获悉长沙安牧泉智能科技有限公司申请的专利一种高功率芯片的嵌入式微通道FCBGA封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224084047U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520147880.9，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型一种高功率芯片的嵌入式微通道FCBGA封装结构是由刘欧飞;李雪;蔡信达;徐兰英;刘振;钱新;滕晓东设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率芯片的嵌入式微通道FCBGA封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种高功率芯片的嵌入式微通道FCBGA封装结构，包括：上散热盖和下散热盖，下散热盖具有供工质流动的微通道结构，微通道结构包括流入口、流出口以及散热单元，散热单元包括M个进水流道和M个出水流道，进水流道和出水流道沿第一方向设置，进水流道用于连通流入口，出水流道用于连通流出口，进水流道和出水流道之间还设置有阵列结构，阵列结构包括沿第一方向布置和第二方向布置的柱状针肋结构，其中M为大于或等于1的正整数，N1、N2均为大于或等于2的正整数；上散热盖上还设置有与流入口连通的入水口、与流出口连通的出水口；通过设计微通道结构供工质流动，从而将芯片工作时产生的热量带出芯片，从而对芯片进行降温。

本实用新型一种高功率芯片的嵌入式微通道FCBGA封装结构在权利要求书中公布了：1.一种高功率芯片的嵌入式微通道FCBGA封装结构，其特征在于，包括： 上散热盖1和下散热盖2，所述上散热盖1键合于所述下散热盖2的上方，所述下散热盖2具有供工质流动的微通道结构3，所述微通道结构3包括流入口31、流出口32以及散热单元，所述散热单元包括M个进水流道33和M个出水流道34，所述进水流道33和出水流道34沿第一方向设置，所述进水流道33用于连通流入口31，所述出水流道34用于连通流出口32，所述进水流道33和出水流道34之间还设置有阵列结构，所述阵列结构包括沿第一方向布置的N1个柱状针肋结构35和沿与第一方向垂直的第二方向布置的N2个柱状针肋结构35，其中M为大于或等于1的正整数，所述N1、N2均为大于或等于2的正整数； 所述上散热盖1上还设置有与流入口31连通的入水口8、与流出口32连通的出水口9； 所述下散热盖2通过热界面材料4贴合于所述芯片5的上表面，所述芯片5通过锡球6连接于基板7上。

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