泰科天润半导体科技(北京)有限公司何佳获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种碳化硅VDMOS沟槽型热扩散终端获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224098055U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520706741.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种碳化硅VDMOS沟槽型热扩散终端是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅VDMOS沟槽型热扩散终端在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种碳化硅VDMOS沟槽型热扩散终端，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层内具有P型阱区、主结、第一场限环以及第二场限环；所述P型阱区连接至主结，所述主结与第一场限环的距离大于所述第一场限环与第二场限环的距离；绝缘层，所述绝缘层下侧面分别连接至所述漂移层、P型阱区、主结、第一场限环以及第二场限环；源极金属层，所述源极金属层连接至P型阱区以及绝缘层，保证器件边缘不会出现击穿现象，增强了器件的稳定性。
本实用新型一种碳化硅VDMOS沟槽型热扩散终端在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅VDMOS沟槽型热扩散终端，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层内具有P型阱区、主结、第一场限环以及第二场限环；所述P型阱区连接至主结，所述主结与第一场限环的距离大于所述第一场限环与第二场限环的距离； 绝缘层，所述绝缘层下侧面分别连接至所述漂移层、P型阱区、主结、第一场限环以及第二场限环； 源极金属层，所述源极金属层连接至P型阱区以及绝缘层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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