中国科学院上海高等研究院陈可欣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海高等研究院申请的专利一种用于同位素生产的超导电子直线加速器装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124302U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520697942.3，技术领域涉及：H05H9/00；该实用新型一种用于同位素生产的超导电子直线加速器装置是由陈可欣;侯洪涛;邓海啸设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于同位素生产的超导电子直线加速器装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种用于同位素生产的超导电子直线加速器装置，包括依次排布的注入器、超导加速模组和辐照靶区，超导加速模组与低温冷却系统、射频驱动系统、控制系统连接；超导加速模组包括一低β值的铌三锡超导腔和五个标准的铌三锡超导腔模组，低β值超导腔为一个β＝0.7的2‑cell腔的SRF加速腔，每个标准超导腔模组由4个串联的β＝1的2‑cell腔的SRF加速腔组成；标准超导腔模组的输入端采用对称双输入耦合器。本实用新型的直线加速器装置，其铌三锡超导腔采用了2‑cell和双输入耦合器的结构，在高流强下可以降低高功率输入耦合的功率要求，以较低的成本产生高功率电子束，实现同位素的高效和经济生产。
本实用新型一种用于同位素生产的超导电子直线加速器装置在权利要求书中公布了：1.一种用于同位素生产的超导电子直线加速器装置，其特征在于，包括依次排布的注入器、超导加速模组和辐照靶区，所述超导加速模组与低温冷却系统、射频驱动系统、控制系统连接； 所述超导加速模组包括一个低β值的铌三锡超导腔和五个标准的铌三锡超导腔模组，低β值的铌三锡超导腔由一个β＝0.7的2-cell腔的SRF加速腔组成，每个标准的铌三锡超导腔模组由4个串联的β＝1的2-cell腔的SRF加速腔组成；标准的铌三锡超导腔模组的输入端和低β值的铌三锡超导腔的输入端采用对称双输入耦合器。
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