英诺赛科(深圳)半导体有限公司宋亮获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(深圳)半导体有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124493U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521120923.0，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种半导体器件是由宋亮;陈扶;赵杰设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；沟道层，位于缓冲层远离衬底的一侧；复合势垒层，复合势垒层包括第一势垒层和第二势垒层，第一势垒层位于沟道层远离缓冲层的一侧，第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一侧；第二势垒层的带隙大于第一势垒层的带隙；介质层，位于复合势垒层远离沟道层的一侧；栅极，位于介质层远离复合势垒层的一侧；源极，位于复合势垒层远离沟道层的一侧；漏极，位于复合势垒层远离沟道层的一侧。上述技术方案提升了耗尽型氮化镓半导体器件的动态特性。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，位于所述衬底的一侧； 沟道层，位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧； 复合势垒层，所述复合势垒层包括第一势垒层和第二势垒层，所述第一势垒层位于所述沟道层远离所述缓冲层的一侧，所述第二势垒层位于所述第一势垒层远离所述沟道层的一侧；所述第二势垒层的带隙大于所述第一势垒层的带隙； 介质层，位于所述复合势垒层远离所述沟道层的一侧； 栅极，位于所述介质层远离所述复合势垒层的一侧； 源极，位于所述复合势垒层远离所述沟道层的一侧； 漏极，位于所述复合势垒层远离所述沟道层的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(深圳)半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙华区民治街道北站社区汇德大厦1号楼3601；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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