英诺赛科(深圳)半导体有限公司陈银辉获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(深圳)半导体有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124494U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521158864.6，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种半导体器件是由陈银辉;赵杰;刘艳设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件，其中，半导体器件包括：至少一个单胞结构；单胞结构包括：衬底；沟道层和势垒层，沟道层位于衬底的一侧，势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；源极和漏极，源极和漏极间隔位于势垒层远离衬底的一侧；掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层，位于势垒层远离衬底的一侧，掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层环绕漏极；第一源极场板，位于势垒层远离衬底的一侧，第一源极场板环绕漏极。本实用新型无需采用离子注入工艺实现器件之间的隔离，且保证了HEMT器件关断，漏极承压状态下电场均匀，使得漏极有好的高压承受能力。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：至少一个单胞结构；所述单胞结构包括： 衬底； 沟道层和势垒层，所述沟道层位于所述衬底的一侧，所述势垒层位于所述沟道层远离所述衬底的一侧； 源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔位于所述势垒层远离所述衬底的一侧； Ⅲ-Ⅴ族半导体层，位于所述势垒层远离所述衬底的一侧，所述Ⅲ-Ⅴ族半导体层环绕所述漏极； 栅极，所述栅极位于所述Ⅲ-Ⅴ族半导体层远离所述衬底的一侧； 第一源极场板，位于所述势垒层远离所述衬底的一侧，所述第一源极场板与所述源极连接；所述第一源极场板环绕所述漏极； 所述第一源极场板在所述衬底的垂直投影位于所述Ⅲ-Ⅴ族半导体层在所述衬底的垂直投影和所述漏极在所述衬底的垂直投影之间；所述第一源极场板的中心线与所述Ⅲ-Ⅴ族半导体层的中心线的垂直间距小于所述第一源极场板的中心线与所述漏极的中心线的垂直间距。
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