苏州泓冠半导体有限公司方成应获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州泓冠半导体有限公司申请的专利一种光耦合器的导光结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124515U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521052301.9，技术领域涉及：H10F77/50；该实用新型一种光耦合器的导光结构是由方成应;王超缙;周星喜;陈仕财设计研发完成，并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光耦合器的导光结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及光耦合器技术领域，具体为一种光耦合器的导光结构；通过在PT芯片和IR芯片之间设置用于将IR芯片发出的光线导向PT芯片感光面的导光件，能够更高效的将IR芯片发出的部分光线高效的导入到PT芯片的感光面处，以提高IR芯片光线整体被传输到PT芯片的感光面处的效率，保证PT芯片和IR芯片之间光信号传输的稳定性，通过设置导光件为两端均固定的刚性透明体，并且在其表面涂覆一层钛白粉作为第一反射层，从而既能够实现对光线的导向传播，也能够实现PT芯片和IR芯片的相对固定，以提高产品在生产过程中的良率；解决了目前的平面式光耦合器在光信号传输的过程中，光信号传输效率较低的问题。
本实用新型一种光耦合器的导光结构在权利要求书中公布了：1.一种光耦合器的导光结构，包括封装体1，封装体上设置有一端位于其内部的PT支架引脚2和IR支架引脚3，其特征在于，所述IR支架引脚3上设置有垫片4，垫片4上安装有用于发光的IR芯片5，PT支架引脚2上设置有PT芯片6，PT芯片6和IR芯片5之间设置有用于将IR芯片5发出的光线导向PT芯片6感光面的导光件7。
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