世界先进积体电路股份有限公司林鑫成获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078098B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010004028.8，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由林鑫成设计研发完成，并于2020-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含具有第一、第二区域的基板。半导体结构亦包含位于基板上方的外延层、分别位于基板的第一、第二区域上的第一元件及第二元件。第一元件包含位于外延层上的第一栅极，以及分别位于第一栅极相对两侧的第一源极电极和第一漏极电极，且一介电层形成于外延层上并覆盖第一栅极。第二元件包含位于介电层上的第二栅极，以及分别位于第二栅极相对两侧的第二源极电极和第二漏极电极，其中第二源极电极电连接第一漏极电极。半导体结构更包含设置于基板上的隔离结构使第一、第二区域中的外延层彼此隔绝。本发明可以避免传统使用打线连接不同元件所产生的寄生电感和寄生电容所造成的噪声。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一基板，包括一第一区域和一第二区域； 一外延层，位于该基板的上方； 一晶种层位于该基板上，其中该外延层位于该晶种层上； 一第一元件，设置于该基板的该第一区域上，该第一元件包含： 一第一栅极，位于该外延层上，且一介电层形成于该外延层上并覆盖该第一栅极； 一第一源极电极和一第一漏极电极分别位于该第一栅极的相对两侧；其中该第一源极电极包含相互电连接的两个第一导电部； 一第一贯孔，与前述两个第一导电部其中一者电连接，且该第一贯孔穿过该外延层并接触该晶种层； 一第二元件，设置于该基板的该第二区域上，其中该第一元件与该第二元件皆为高电子迁移率晶体管，该第二元件包含： 一第二栅极，位于该介电层上； 一第二源极电极和一第二漏极电极分别位于该第二栅极的相对两侧，其中该第二源极电极与该第一漏极电极电连接；以及 一隔离结构，设置于该基板上，且该第一区域与该第二区域中的该外延层通过该隔离结构而彼此隔绝开来。
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