日月光半导体制造股份有限公司詹雅芳获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体设备封装和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010810177.3，技术领域涉及：H10W44/20；该发明授权半导体设备封装和其制造方法是由詹雅芳;蒋源峰;吕柏纬设计研发完成，并于2020-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备封装和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含介电层。所述半导体设备封装进一步包含天线结构，所述天线结构安置在所述介电层中。所述半导体设备封装进一步包含半导体设备，所述半导体设备安置在所述介电层上。所述半导体设备封装进一步包含包封料，所述包封料覆盖所述半导体设备。所述半导体设备封装进一步包含导电柱，所述导电柱具有第一部分和第二部分。所述第一部分被所述包封料包围并且所述第二部分嵌入在所述介电层中。
本发明授权半导体设备封装和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备封装，其包括： 介电层； 天线结构，所述天线结构安置在所述介电层中； 半导体设备，所述半导体设备安置在所述介电层上； 包封料，所述包封料覆盖所述半导体设备，且所述介电层的介电常数小于所述包封料的介电常数；以及 导电柱，所述导电柱具有第一部分和第二部分， 晶种层， 其中所述第一部分被所述包封料包围并且所述第二部分嵌入在所述介电层中，所述第一部分完全垂直重叠所述第二部分，且所述第一部分和所述第二部分为一体成形，且所述介电层界定孔容纳所述晶种层及所述第二部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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