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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110741088.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由J·D·霍普金斯;D·A·克朗皮特;M·J·皮特;C·R·里奇设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列以及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层和第二层。沟道材料串在所述竖直交替的第一层和第二层中的个别沟道开口中。导体材料接触件处于所述个别沟道开口中，直接抵靠所述沟道材料串中的个别沟道材料串的所述沟道材料。所述导体材料接触件竖直凹入所述个别沟道开口中。导电通孔直接抵靠所述个别沟道开口中的竖直凹入的所述导体材料接触件形成于所述个别沟道开口中。公开其它方面，包含与方法无关的结构。

本发明授权包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括： 形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，在完成的构造中，所述第一层是导电的且所述第二层是绝缘的，沟道材料串处于所述竖直交替的第一层和第二层中的个别沟道开口中，所述沟道材料串个别地包括沟道材料的圆筒形壳体，绝缘体材料处于所述沟道材料的所述圆筒形壳体径向内部，存储材料处于所述沟道材料的所述圆筒形壳体径向外部； 使所述个别沟道开口中的所述绝缘体材料相对于所述存储材料且相对于所述沟道材料竖直凹入； 使导体材料接触件形成于所述个别沟道开口中，所述导体材料接触件在所述沟道材料串中的个别沟道材料串的所述沟道材料的所述圆筒形壳体的径向内部且直接抵靠所述圆筒形壳体的径向内侧，且在竖直凹入的所述绝缘体材料顶上，所述导体材料接触件的底部低于所述第一层的最上层的底部； 竖直向下蚀刻所述导体材料接触件的导体材料，以使所述导体材料相对于所述个别沟道开口中的所述存储材料竖直凹入，并且竖直向下蚀刻所述个别沟道材料串的所述圆筒形壳体的所述沟道材料，以使所述圆筒形壳体相对于所述个别沟道开口中的所述存储材料竖直凹入，所述导体材料在所述蚀刻之后具有平坦的最上表面；以及 使导电通孔形成于所述个别沟道开口中，所述导电通孔直接抵靠所述沟道材料串的竖直凹入的所述圆筒形壳体的所述沟道材料的顶部且直接抵靠处于所述个别沟道开口中的竖直凹入的所述导体材料接触件的整个平坦的最上表面。

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