中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司边大一获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种输送结构以及半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011254106.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种输送结构以及半导体设备是由边大一;白国斌;高建峰;王桂磊;田光辉;丁云凌设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种输送结构以及半导体设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种中心环、输送结构以及半导体设备，中心环的外环端表面设置有第一密封槽，用于安装第一O型密封圈，且中心环内分布有真空空腔。将该中心环安装在输送结构中第一管道和第二管道之间的连接端口处，能够有效地避免输送的流体在流经管道连接部分时发生温度变化，有利于保持所输送的流体的温度。进一步，将该输送结构应用于半导体设备，作为半导体设备的废气排放管道，能够有效地抑制高温废气在管道连接处由于热损形成粉末导致管道堵塞。
本发明授权一种输送结构以及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种输送结构，其特征在于，用于半导体设备，所述输送结构用于输送废气；所述输送结构包括第一管道、第二管道、连接件、第一O型密封圈以及中心环，所述第一管道与所述第二管道通过所述中心环、所述第一O型密封圈以及所述连接件连通； 所述中心环安装在所述第一管道和所述第二管道之间的连接端口处； 所述中心环的外环端表面设置有第一密封槽，所述第一O型密封圈套设在所述第一密封槽内； 所述中心环内分布有真空空腔，用于阻隔所述连接端口处内部与外界的热传递； 所述中心环的内环端分别朝两侧形成有第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部用于与所述第一管道的内壁配合，所述第二延伸部用于与所述第二管道的内壁配合； 当所述中心环处于安装状态时，所述第一延伸部突出于所述第一管道的内壁，并朝着所述第一管道的长度方向延伸，所述第二延伸部突出于所述第二管道的内壁，并朝着所述第二管道的长度方向延伸； 其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部的远端呈倾斜设置，在沿远离所述连接端口的方向上，所述第一延伸部和所述第二延伸部的远端的内径增大。
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