北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司孟凡理获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利晶体管、电控鼓和打印机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864665B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210657971.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权晶体管、电控鼓和打印机是由孟凡理;李泽源;孟虎;陈江博设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管、电控鼓和打印机在说明书摘要公布了：本公开提供一种晶体管、电控鼓和打印机。该晶体管中，有源层包括沿第一源漏极指向第二源漏极的方向上依次设置的第一重掺杂区、第一高阻区、与栅极重叠设置的沟道区、第二高阻区、以及第二重掺杂区，第一重掺杂区与第一源漏极电接触、第二重掺杂区与第二源漏极电接触，第一高阻区和第二高阻区二者在基底上的正投影与栅极在基底上的正投影均无交叠。该晶体管的耐高压能力提升，有助于电控鼓的性能稳定。
本发明授权晶体管、电控鼓和打印机在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：基底、设置在所述基底上的有源层、设置在所述有源层远离所述基底一侧的栅绝缘层、设置在所述栅绝缘层远离所述基底一侧的栅极，所述晶体管还包括：覆盖所述栅极的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层远离所述基底一侧并通过过孔与所述有源层电接触的第一源漏极和第二源漏极； 其中，所述有源层包括沿所述第一源漏极指向所述第二源漏极的方向上依次设置的第一重掺杂区、第一高阻区、与所述栅极重叠设置的沟道区、第二高阻区、以及第二重掺杂区，所述第一重掺杂区与所述第一源漏极电接触、所述第二重掺杂区与所述第二源漏极电接触，所述第一高阻区和所述第二高阻区二者在所述基底上的正投影与所述栅极在所述基底上的正投影均无交叠； 所述第一高阻区包括沿所述第一重掺杂区指向所述沟道区的方向依次设置的第一轻掺杂区和第一本征半导体区；所述第二高阻区包括沿所述第二重掺杂区指向所述沟道区的方向依次设置的第二轻掺杂区和第二本征半导体区。
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