合肥晶合集成电路股份有限公司饶续获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210525558.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种图像传感器及其制造方法是由饶续;马忠祥;龚柏铧;谢荣源设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，属于半导体制造技术领域，且所述图像传感器的制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构将衬底区分为多个感光区域；向所述感光区域中多次注入离子，形成光电二极管的预掺杂区；对所述感光区域进行退火，形成所述光电二极管的掺杂区，所述光电二极管的掺杂区的深度大于所述浅沟槽隔离结构的深度；以及在所述衬底上沉积多晶硅层，并蚀刻所述多晶硅层，形成控制结构。通过本发明提供的一种图像传感器及其制造方法，可降低相邻光电二极管之间的串扰。
本发明授权一种图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底； 在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构将所述衬底区分为多个感光区域； 向所述感光区域中多次注入离子，形成光电二极管的预掺杂区，且所述光电二极管的预掺杂区的底部呈弧形，且由靠近所述浅沟槽隔离结构的一侧至所述感光区域的中心，所述光电二极管的预掺杂区的深度逐渐增加； 对所述感光区域进行退火，形成所述光电二极管的掺杂区，且所述光电二极管的掺杂区的深度大于所述浅沟槽隔离结构的深度；以及 在所述衬底上沉积多晶硅层，并蚀刻所述多晶硅层，形成控制结构。
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