操纵技术IP控股公司M·C·哈尔曼获国家专利权
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龙图腾网获悉操纵技术IP控股公司申请的专利具有高侧与低侧MOSFET电阻多样性的逆变器相开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210118093.2，技术领域涉及：H02P6/08；该发明授权具有高侧与低侧MOSFET电阻多样性的逆变器相开关是由M·C·哈尔曼;W·A·伯恩斯;J·M·奥托设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高侧与低侧MOSFET电阻多样性的逆变器相开关在说明书摘要公布了：本申请公开了具有高侧与低侧MOSFET电阻多样性的逆变器相开关。为逆变器提供了一个或多个实施例。该逆变器包括被配置为经由输出端子供应AC功率的相开关。该相开关包括高侧支路和低侧支路。该高侧支路包括高侧固态开关，其被配置为在DC总线的高侧导体与输出端子之间选择性地传导电流，该低侧支路包括低侧固态开关，其被配置为在输出端子与DC总线的低侧导体之间选择性地传导电流。该高侧固态开关具有第一导通状态电阻值，该低侧固态开关具有不同于第一导通状态电阻值的第二导通状态电阻值。分流电阻器可以与高侧固态开关或低侧固态开关中的对应的固态开关串联连接，以平衡高侧支路和低侧支路的电阻。
本发明授权具有高侧与低侧MOSFET电阻多样性的逆变器相开关在权利要求书中公布了：1.一种逆变器，包括： 相开关，其被配置为经由输出端子供应AC功率，所述相开关包括高侧支路和低侧支路，所述高侧支路包括高侧固态开关，其被配置为在DC总线的高侧导体与所述输出端子之间选择性地传导电流，且所述低侧支路包括低侧固态开关，其被配置为在所述输出端子与所述DC总线的低侧导体之间选择性地传导电流， 其中，所述高侧固态开关具有第一导通状态电阻值，且所述低侧固态开关具有不同于所述第一导通状态电阻值的第二导通状态电阻值； 所述高侧支路或所述低侧支路中的至少一个还包括分流电阻器，所述分流电阻器与所述高侧固态开关或所述低侧固态开关中的对应的固态开关串联连接； 所述分流电阻器与所述高侧固态开关或所述低侧固态开关中的对应的一个固态开关的串联组合具有等于所述高侧固态开关或所述低侧固态开关中的另一个固态开关的导通状态电阻值的组合串联电阻，以平衡所述高侧支路的电阻和所述低侧支路的电阻。
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