台湾积体电路制造股份有限公司高浚祐获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110919189.4，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权形成半导体器件的方法是由高浚祐;林颂恩;赵家峥设计研发完成，并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：形成半导体器件的方法包括：在目标层上方沉积第一掩模；在第一掩模上方形成第一芯轴和第二芯轴；在第一芯轴上形成第一间隔件并且在第二芯轴上形成第二间隔件；以及选择性去除第二间隔件同时掩蔽第一间隔件。掩蔽第一间隔件包括用第二掩模和第二掩模上方的覆盖层覆盖第一间隔件，并且覆盖层包括碳。方法还包括图案化第一掩模以及将第一掩模的图案转移至目标层。图案化第一掩模包括用第二芯轴、第一芯轴和第一间隔件掩蔽第一掩模。
本发明授权形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在目标层的第一区域和所述目标层的第二区域上方沉积第一掩模； 在所述第一掩模上方形成多个芯轴； 在所述多个芯轴的侧壁上形成多个间隔件； 在所述多个芯轴和所述多个间隔件上方沉积第二掩模； 在所述第二掩模上方形成覆盖层，其中，所述覆盖层包括碳；以及 图案化所述第二掩模和所述覆盖层以暴露所述多个芯轴中的第一芯轴和所述多个间隔件中的第一间隔件，所述第一芯轴和所述第一间隔件与所述目标层的所述第一区域重叠， 其中，所述第二掩模共形地沉积在所述多个间隔件的侧壁上、所述多个芯轴的顶面上和所述第一掩模的顶面上，使得所述第二掩模在形成在相邻芯轴的侧壁上的间隔件之间沿着所述第一掩模的所述顶面延伸。
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