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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利存储器件以及存储器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110776882.0，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权存储器件以及存储器件的制造方法是由相川尚德设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件以及存储器件的制造方法在说明书摘要公布了：实施方式涉及存储器件及其制造方法。存储器件20包括存储单元阵列30、第1读取电路32A、第2读取电路32B、第1写入电路33A和第2写入电路33B。存储单元阵列包括多个第1子阵列SAa和多个第2子阵列SAb。多个第1子阵列中的每一个包括多个第1存储单元。多个第2子阵列中的每一个包括多个第2存储单元。第1读取电路读取多个第1存储单元的数据。第2读取电路与第1读取电路不同，读取多个第2存储单元的数据。第1写入电路向多个第1存储单元写入数据。第2写入电路向多个第2存储单元写入数据。第1子阵列与第2子阵列的面积不同。由此，提供提高存储器件的性能的半导体装置及其制造方法。

本发明授权存储器件以及存储器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，具备： 存储单元阵列，包括多个第1子阵列和多个第2子阵列； 多个第1存储单元，包含于所述多个第1子阵列中的每一个； 多个第2存储单元，包含于所述多个第2子阵列中的每一个； 第1读取电路，读取所述多个第1存储单元的数据； 第2读取电路，与所述第1读取电路不同，读取所述多个第2存储单元的数据； 第1写入电路，向所述多个第1存储单元写入数据；以及 第2写入电路，与所述第1写入电路不同，向所述多个第2存储单元写入数据， 所述第1子阵列的面积与所述第2子阵列的面积不同， 所述多个第1子阵列中的每一个还包括多条第1位线和多条第1源线， 所述多个第1存储单元中的每一个连接在一条第1位线与一条第1源线之间，包括串联连接在所述一条第1位线与所述一条第1源线之间的第1阻变元件和第1开关元件， 所述多个第2子阵列中的每一个还包括多条第2位线和多条第2源线， 所述多个第2存储单元中的每一个连接在一条第2位线与一条第2源线之间，包括串联连接在所述一条第2位线与所述一条第2源线之间的第2阻变元件和第2开关元件， 所述第1开关元件的阈值电压与所述第2开关元件的阈值电压不同， 所述第1子阵列和所述第2子阵列中的、包括所述第1开关元件和所述第2开关元件中的阈值电压较低的一方的子阵列，用作高速缓冲存储器。

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