北京北方华创微电子装备有限公司简师节获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利法拉第屏蔽装置及半导体工艺腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110820041.5，技术领域涉及：H01J37/305；该发明授权法拉第屏蔽装置及半导体工艺腔室是由简师节设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本法拉第屏蔽装置及半导体工艺腔室在说明书摘要公布了：本发明公开一种法拉第屏蔽装置及半导体工艺腔室，所述法拉第屏蔽装置300用于屏蔽半导体工艺腔室的射频线圈200产生的电场，所述法拉第屏蔽装置300包括第一屏蔽板310、第二屏蔽板320和驱动机构330，所述第一屏蔽板310上开设有沿其厚度方向贯通的第一开口311，所述第二屏蔽板320上开设有沿其厚度方向贯通的第二开口321，所述驱动机构330用于改变所述第一屏蔽板310和所述第二屏蔽板320之间的相对位置，以改变所述第一开口311和所述第二开口321的重合度。上述方案能够解决半导体工艺腔室的刻蚀性能较差的问题。
本发明授权法拉第屏蔽装置及半导体工艺腔室在权利要求书中公布了：1.一种法拉第屏蔽装置的控制方法，所述法拉第屏蔽装置用于屏蔽半导体工艺腔室的射频线圈200产生的电场，其特征在于，所述法拉第屏蔽装置300包括第一屏蔽板310、第二屏蔽板320和驱动机构330，所述第一屏蔽板310上开设有沿其厚度方向贯通的第一开口311，所述第二屏蔽板320上开设有沿其厚度方向贯通的第二开口321，所述驱动机构330用于改变所述第一屏蔽板310和所述第二屏蔽板320之间的相对位置，以改变所述第一开口311和所述第二开口321的重合度；所述控制方法包括： 所述驱动机构330每次控制所述第一屏蔽板310旋转的角度等于所述第一开口311的相对侧壁的夹角除以工艺循环总数，所述第一开口和所述第二开口的重合度随着工艺循环次数的增加而增大；在到达所述工艺循环总数时，所述第一开口311和所述第二开口321完全重合。
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