湖南三安半导体有限责任公司房育涛获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利HEMT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211327142.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权HEMT器件及其制造方法是由房育涛;王倩;叶念慈;张洁设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本HEMT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种HEMT器件及其制造方法，该HEMT器件包括：包括：衬底；外延层，其设置在衬底上，外延层包括：第一半导体叠层和设置在第一半导体叠层上的第二半导体层；第一半导体叠层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气；端子层，其包括设置在第二半导体层上且间隔布置的源极、漏极和栅极；导电层，其设置外延层内并位于衬底与二维电子气之间；电耦合结构，其从栅极向外延层内延伸并与导电层连接，用于将导电层电耦合至栅极；高阻结构，其至少部分地设在导电层与二维电子气之间，以及电耦合结构与二维电子气之间。该HEMT器件能够有效降低HEMT器件高电压下栅极的电场强度，从而提高器件的击穿电压。
本发明授权HEMT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，其设置在衬底上，所述外延层包括：第一半导体叠层和设置在第一半导体叠层上的第二半导体层；所述第一半导体叠层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气； 端子层，其包括设置在第二半导体层上且间隔布置的源极、漏极和栅极； 导电层，其设置于外延层内并位于所述衬底与二维电子气之间，其中，所述导电层在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影相交； 电耦合结构，其从所述栅极向所述外延层内延伸并与所述导电层连接，用于将所述导电层电耦合至所述栅极； 高阻结构，其至少部分地设在所述导电层与所述二维电子气之间，以及所述电耦合结构与所述二维电子气之间。
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