微芯片技术股份有限公司冷耀俭获国家专利权
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龙图腾网获悉微芯片技术股份有限公司申请的专利用于集成电路监测的金属-氧化物-金属(MOM)电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115667950B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180037682.1，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权用于集成电路监测的金属-氧化物-金属(MOM)电容器是由冷耀俭;J·萨托设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于集成电路监测的金属-氧化物-金属(MOM)电容器在说明书摘要公布了：一种形成在集成电路IC结构中的金属‑氧化物‑金属MOM电容器的阵列能够用于评估IC结构的图案化层之间的未对准。MOM电容器的阵列能够形成在所选择的一组图案化层中，例如形成在一对金属互连层之间的通孔层。MOM电容器可被编程有不同图案化层对准例如，内置到用于形成图案化层的光掩模或光罩中以限定不同对准的阵列。当MOM电容器形成在晶片上时，实际图案化层对准电容器可由于过程相关未对准而不同于编程层对准。MOM电容器能够经受电测试以识别该过程相关未对准，该过程相关未对准能够用于启动校正动作，例如调整制造过程或丢弃未对准的IC结构或器件。
本发明授权用于集成电路监测的金属-氧化物-金属(MOM)电容器在权利要求书中公布了：1.一种评估集成电路结构的方法，所述方法包括： 在所述集成电路结构的多个图案化层中形成多个MOM电容器，其中所述多个MOM电容器中的每个MOM电容器被形成为在至少一个方向上在所述图案化层之间具有不同对准； 执行所述多个MOM电容器的电测试；以及 基于所述电测试确定所述多个图案化层中的图案化层未对准， 其中执行所述多个MOM电容器的电测试包括： 确定每个MOM电容器的击穿电压；以及 识别所述多个MOM电容器中具有最高击穿电压的MOM电容器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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