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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利半导体光检测元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180039548.5，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权半导体光检测元件是由塚田祥贺;笠森浩平;广瀬真树;藁科祯久设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体光检测元件在说明书摘要公布了：本发明的光检测元件10具备：半导体基板16，其具有被检测光入射的主面16a、及背对主面16a的背面16b，在主面16a侧具有产生与被检测光的光强度相应的量的电荷的一个或多个光检测区域11；及光吸收膜13，其设置于半导体基板16的背面16b上。光吸收膜13包含：金属层即反射层133、设置于反射层133与半导体基板16之间的谐振层132、及设置于谐振层132与半导体基板16之间的光吸收层131。在被检测光的波长、及光检测区域11中所产生的自发光的波长中的至少一者，谐振层132的内部的透光率大于光吸收层131的内部的透光率，反射层133的表面的光反射率大于谐振层132的表面的光反射率。由此，实现一种可减少半导体基板的背面的光的反射的半导体光检测元件。

本发明授权半导体光检测元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体光检测元件，其包含： 半导体基板，其具有作为被检测光入射的表面的主面、及背对所述主面的背面，在所述主面侧具有产生与所述被检测光的光强度相应的量的电荷的一个或多个光检测区域；及 光吸收膜，其设置于所述半导体基板的所述背面上，并且吸收从所述主面入射且未被所述光检测区域吸收而透过的所述被检测光、以及所述光检测区域中所产生的自发光中的至少一者， 所述一个或多个光检测区域的各个具有在所述半导体基板的所述主面侧形成的第二导电型的半导体区域，所述半导体基板中除了所述第二导电型的半导体区域的区域由第一导电型的半导体区域占据， 所述第二导电型的半导体区域电连接于所述半导体基板的所述主面侧所配置的电极， 所述光吸收膜具有包含作为金属层的反射层、设置于所述反射层与所述半导体基板之间的谐振层、及设置于所述谐振层与所述半导体基板之间的光吸收层的多层结构， 在所述被检测光的波长、及所述光检测区域中所产生的所述自发光的波长中的至少一者，所述谐振层的内部的透光率大于所述光吸收层的内部的透光率，所述反射层的表面的光反射率大于所述谐振层的表面的光反射率。

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