华中科技大学段国韬获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115676769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211277167.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用是由段国韬;张征;罗立扬设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用，属于气敏薄膜制备领域。方法包括：步骤S1、在硅晶圆基片上制备MEMS微加热板阵列；步骤S2、在所述MEMS微加热板阵列的每个传感单元中心区域制备气敏薄膜；步骤S3、在所述气敏薄膜表面均匀沉积贵金属，用于修饰所述气敏薄膜，形成MEMS气体传感器阵列；步骤S4、将所述MEMS气体传感器阵列进行空气‑氢气‑空气循环高温烧结退火；步骤S5、将退火后的MEMS气体传感器阵列划片、封装，形成单个MEMS气体传感器。通过本发明的方法制备得到的传感器能够同时提升MEMS气体传感器的灵敏性、一致性和稳定性。
本发明授权一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1、在硅晶圆基片上制备MEMS微加热板阵列； 步骤S2、在所述MEMS微加热板阵列的每个传感单元中心区域制备气敏薄膜； 步骤S3、采用原子层沉积法在所述气敏薄膜表面均匀沉积贵金属，用于修饰所述气敏薄膜，形成MEMS气体传感器阵列； 步骤S4、将所述MEMS气体传感器阵列进行空气-氢气-空气循环高温烧结退火；所述空气-氢气-空气循环高温烧结退火中，空气退火的条件均为5℃s升温至400℃，保温2.5h后自然降温，氢气退火的条件为20℃min升温至250℃，保温2.5h后自然降温； 步骤S5、将退火后的MEMS气体传感器阵列划片、封装，形成单个MEMS气体传感器。
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