日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115685441B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110864487.8，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权封装结构及其形成方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装结构及其形成方法。该封装结构包括：基板；光集成电路，位于所述基板上方，所述光集成电路的上表面上具有第一光导部件；光纤阵列，位于所述光集成电路的所述第一光导部件上方并且具有第二光导部件；光导材料，位于所述光集成电路与所述光纤阵列之间，其中，所述光纤阵列的所述第二光导部件穿过所述光导材料而光耦合至所述光集成电路的所述第一光导部件。
本发明授权封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 基板； 光集成电路，位于所述基板上方，所述光集成电路的上表面上具有第一光导部件； 光纤阵列，位于所述光集成电路的所述第一光导部件上方并且具有第二光导部件； 光导材料，位于所述光集成电路与所述光纤阵列之间； 电集成电路，位于所述光导材料上方； 电源管理集成电路，与所述电集成电路位于所述光纤阵列的相对两侧； 散热部件，至少在所述电集成电路和所述电源管理集成电路的上表面上延伸； 线路层，位于所述电集成电路和所述电源管理集成电路下方； 导电柱，位于所述电源管理集成电路下方的所述线路层下方，其中，所述导电柱将所述线路层连接至所述基板； 空腔，位于所述电集成电路和所述电源管理集成电路之间并且穿过所述线路层和所述光导材料， 其中，所述光纤阵列自所述散热部件的上表面穿透并且部分设置在所述空腔中，所述光纤阵列与所述光集成电路间隔开并且通过所述第二光导部件自所述空腔穿过所述光导材料而光耦合至所述光集成电路的所述第一光导部件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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