大连理工大学黄火林获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211113647.6，技术领域涉及：H10D48/40；该发明授权基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器及其制备方法是由黄火林;丁喃喃设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器及其制备方法，属于半导体传感器技术领域。技术方案：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层，沟道层和势垒层形成异质结结构层，二者接触界面由极化电荷诱导产生二维电子气，势垒层上方设置磁致伸缩层，磁致伸缩层上方设置电极Sx1、电极Sx2、电极Sy1、电极Sy2，电极Sx1、电极Sx2、电极Sy1、电极Sy2均从磁致伸缩层上方延伸至异质结结构层，电极Sx1和电极Sx2对称设置，电极Sy1和电极Sy2对称设置。有益效果：本发明所述基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器调控了单一Ⅲ‑Ⅴ族半导体异质结磁传感器的极化效应，在对恶劣环境下平行于器件方向的磁场测量时可以实现较高的灵敏度，并且简单的结构减小了器件体积，易于集成。
本发明授权基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器，包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，磁致伸缩层、电极Sx1、电极Sx2、电极Sy1、电极Sy2，其特征在于，在所述衬底上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层，所述沟道层和势垒层形成异质结结构层，二者接触界面由极化电荷诱导产生二维电子气，所述势垒层上方设置所述磁致伸缩层，所述磁致伸缩层上方设置所述电极Sx1、电极Sx2、电极Sy1、电极Sy2，所述电极Sx1、电极Sx2、电极Sy1、电极Sy2均从所述磁致伸缩层上方延伸至所述异质结结构层，所述电极Sx1和电极Sx2对称设置，所述电极Sy1和电极Sy2对称设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人大连理工大学，其通讯地址为：116023 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励