日月光半导体制造股份有限公司凃顺财获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115700917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110851380.X，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由凃顺财设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过将各晶片封装结构堆叠设计为沿着垂直于第一衬底的方向进行堆迭，即各晶片封装结构垂直于衬底进行设置，进而各晶片封装结构与第一衬底之间的电性路径长度相对较一致，可以解决现有技术中PoP中存在的电性路径长度不一致的问题；另外，各晶片封装结构均可通过第一衬底进行散热，可以减缓现有技术中中间层晶片封装结构的热量累积问题。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 第一衬底； 晶片模组，设置于所述第一衬底上，其中，所述晶片模组包括至少两个并排设置于所述第一衬底上的晶片封装结构，各所述晶片封装结构沿着平行于所述第一衬底的方向进行堆叠，各所述晶片封装结构垂直于所述衬底进行设置，各所述晶片封装结构与所述第一衬底之间的电性路径长度相对一致； 所述晶片封装结构包括垂直于所述第一衬底依次设置的第一金属层、第二衬底和第二金属层，所述第二衬底电连接所述第一衬底，所述晶片模组中相邻两晶片封装结构中一个晶片封装结构的第一金属层接触并键合至另一个晶片封装结构的第二金属层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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