杭州大立微电子有限公司罗雯雯获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州大立微电子有限公司申请的专利红外传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115711673B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211095939.1，技术领域涉及：G01J5/10；该发明授权红外传感器及其制造方法是由罗雯雯;范延军;钱良山;朱晓荣;池积光;马志刚;姜利军设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种红外传感器及其制造方法，所述红外传感器包括：像元微桥结构，包括微桥桥面及第一驱动电路组，所述微桥桥面用于吸收红外辐射，所述第一驱动电路组根据所述红外辐射输出电信号以反映目标的温度；至少一双材料热驱动结构，能够发生形变并与所述微桥桥面的下表面接触，以对所述微桥桥面进行散热及支撑。上述技术方案，通过设置至少一能够发生形变的双材料热驱动结构，在高温或高能目标红外辐射入射时，使双材料热驱动结构接触所述微桥桥面靠近所述第一驱动电路组的表面，从而增加像元微桥结构的散热路径，避免在强辐射时传导热量导致的像元微桥结构灼伤。
本发明授权红外传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种红外传感器，其特征在于，包括：像元微桥结构，包括微桥桥面及第一驱动电路组，所述微桥桥面用于吸收红外辐射，所述第一驱动电路组根据所述红外辐射输出电信号以反映目标的温度；至少一双材料热驱动结构，能够发生形变，并在发生形变时与所述微桥桥面的下表面接触，以对所述微桥桥面进行散热及支撑，其中，所述双材料热驱动结构包括重叠放置的第一形变结构及第二形变结构，所述第二形变结构的热膨胀系数小于所述第一形变结构的热膨胀系数，发生形变时，所述第二形变结构的上表面接触所述微桥桥面的下表面。
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