买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988869B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111192543.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由严勋设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括：提供具有位线接触区的基底；在位线接触区形成第一导电层和第二导电层。本申请通过两次沉积工艺分别形成第一导电层和第二导电层，且第一导电层中掺杂杂质的浓度小于第二导电层中掺杂杂质的浓度，由于掺杂杂质的浓度越低填充能力越高，这样在形成第一导电层时可以避免形成缝隙，并且第一导电层在位线接触区内围成接触孔具有较小的深宽比，在形成第二导电层时，可以避免在第二导电层形成缝隙，这样在后续形成位线以及隔离侧墙时，不会损坏隔离侧墙，进而不会造成电容接触结构与位线发生电连接，提高了半导体结构的良率。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括如下步骤： 提供基底，所述基底内具有多个间隔设置的位线接触区； 在每个所述位线接触区内形成第一导电层，所述第一导电层在每个所述位线接触区内围成一个接触孔； 在每个所述接触孔内形成第二导电层，所述第二导电层和所述第一导电层构成导电层，其中，所述第二导电层中掺杂杂质的浓度大于所述第一导电层中掺杂杂质的浓度； 其中，在所述位线接触区内形成第一导电层的步骤中包括： 在每个所述位线接触区形成第一初始导电层，所述第一初始导电层在每个所述位线接触区内围成一个中间孔； 向所述中间孔内通入刻蚀气体，去除部分所述第一初始导电层，被保留下来的第一初始导电层构成第一导电层，且第一导电层在所述位线接触区内围成接触孔； 在所述位线接触区内形成第一导电层的步骤之前，所述制备方法还包括： 在所述位线接触区的侧壁上形成防护层； 沿第一方向，所述第一初始导电层的厚度位于5～18nm之间； 位于所述位线接触区的底壁上的第一初始导电层的厚度位于10～18nm之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。