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龙图腾网获悉沈阳工业大学申请的专利一种工艺参数对激光定向能量沉积Inconel 718温度场影响的数值模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116011280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211598650.1，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种工艺参数对激光定向能量沉积Inconel 718温度场影响的数值模拟方法是由李殿起;柴媛欣;苗立国;闫成鑫设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种工艺参数对激光定向能量沉积Inconel 718温度场影响的数值模拟方法在说明书摘要公布了：本发明属于激光定向能量沉积数值模拟技术领域，涉及一种工艺参数对激光定向能量沉积Inconel718温度场影响的数值模拟方法。本发明计算激光定向能量沉积过程中瞬态温度场分布时，需要完成定义材料属性；建立几何模型、网格划分；建立瞬态温度场控制方程；施加热源；施加初始条件及边界条件；瞬态温度场有限元方程组离散处理；潜热处理，迭代求解几部分工作。采用本发明的数值模拟方法研究Inconel718材料激光定向能量沉积过程中的温度分布规律，分析工艺参数对温度场的影响，对建立和完善Inconel718材料激光定向能量沉积的理论基础，指导工艺参数的制定，具有重要的科学研究意义和工程应用价值。

本发明授权一种工艺参数对激光定向能量沉积Inconel 718温度场影响的数值模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种工艺参数对激光定向能量沉积Inconel718温度场影响的数值模拟方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、定义材料属性； 步骤2、建立几何模型、网格划分； 步骤3、建立瞬态温度场控制方程； 步骤4、施加热源； 步骤5、施加初始条件及边界条件； 步骤6、瞬态温度场有限元方程组离散处理，对步骤3的方程式在空间域和时间域进行离散处理； 步骤7、潜热处理，迭代求解； 所述步骤3中，激光定向能量沉积过程中，Inconel718热传导温度分布满足方程： ；其中，Q为热输入量，T为温度场分布函数，t为时间，常数称为材料放热系数； 所述步骤4中采用双椭球体热源模型模拟激光的能量分布，前、后半部分椭球的热流密度分布表达式如下： ，；式中，qf、qr分别为前、后半部分椭球的热流密度分布函数；b为熔池宽度；d为熔池深度；af为前半轴长度；ar为后半轴长度；Q为热输入有效功率；ff、fr分别为前、后半部分椭球的热流密度分配系数，；所述步骤5中边界条件公式为： ；其中，h为表面对流换热系数；T为物体边界表面温度；T0为周围环境介质温度，σ为斯特潘-玻尔兹曼常数，约为5.67×10-8Wm2·K4；ε为辐射率，介于0-1之间。

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