中科南京智能技术研究院乔树山获国家专利权
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龙图腾网获悉中科南京智能技术研究院申请的专利一种用于单比特存内计算的10T计算单元及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013383B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211630367.2，技术领域涉及：G11C11/416；该发明授权一种用于单比特存内计算的10T计算单元及系统是由乔树山;黄茂森;尚德龙;周玉梅设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于单比特存内计算的10T计算单元及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于单比特存内计算的10T计算单元及系统。所述10T计算单元包括：包括：存储电路和计算电路；所述存储电路与所述计算电路连接；所述计算电路基于所述存储电路中存储的权重进行单比特权重运算。本发明采用计算电路基于存储电路中存储的权重进行单比特权重运算，能够避免出现写干扰问题的同时，加快计算的速度。
本发明授权一种用于单比特存内计算的10T计算单元及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于单比特存内计算的10T计算单元，其特征在于，包括：存储电路和计算电路；所述存储电路为6T存储单元； 所述存储电路与所述计算电路连接；所述计算电路基于所述存储电路中存储的权重进行单比特权重运算； 所述计算电路包括第一控制模块、第二控制模块、读位线、第一输入端和第二输入端； 所述第一控制模块的第一端口和所述第二控制模块的第一端口均与所述6T存储单元中的权重存储点连接；所述第一控制模块的第二端口与所述第一输入端连接；所述第二控制模块的第二端口与所述第二输入端连接；所述第一控制模块的第三端口与所述第二控制模块的第三端口连接；所述第一控制模块的第四端口和所述第二控制模块的第四端口均与所述读位线连接； 所述第一控制模块包括：PMOS管和第一NMOS管； 所述PMOS管的栅极作为所述第一控制模块的第一端口与所述权重存储点连接；所述PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接；所述第一NMOS管的源极作为所述第一控制模块的第二端口与所述第一输入端连接；所述第一NMOS管的栅极作为所述第一控制模块的第三端口与所述第二控制模块的第三端口连接；所述PMOS管的源极作为所述第一控制模块的第四端口与所述读位线连接。
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