西安立芯光电科技有限公司徐斌获国家专利权
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龙图腾网获悉西安立芯光电科技有限公司申请的专利一种砷化镓基超辐射发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211644694.3，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权一种砷化镓基超辐射发光二极管及其制备方法是由徐斌;王琛琛;仇伯仓;李青民;李波;赵永超;任占强;李育佳;郭宪武设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种砷化镓基超辐射发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种砷化镓基超辐射发光二极管及其制备方法，主要解决现有砷化镓基超辐射发光二极管采用腔面镀抗反射膜结合非泵浦吸收区以及弯曲波导、倾斜波导、锥形波导等技术来抑制谐振腔内的光振荡时，仍然会存在谐振增益，对其自身的功率等性能造成负面影响的技术问题。包括衬底层、设置于衬底层上的外延层、设置于外延层上的金属层；所述金属层为直线型结构；所述衬底层和外延层的出光面和背光面相互平行设置，出光面和背光面均沿背光面至出光面方向倾斜设置，定义出光面和背光面与水平方向所成钝角为倾斜角α，α的取值为100°～110°；所述出光面镀AR反射膜，反射率为0.5‑50％；所述背光面镀HR反射膜，反射率大于90％。
本发明授权一种砷化镓基超辐射发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种砷化镓基超辐射发光二极管，其特征在于：包括衬底层1、设置于衬底层1上的外延层2、设置于外延层2上的金属层21； 所述金属层21为直线型结构； 所述衬底层1和外延层2的出光面3和背光面4相互平行设置，出光面3和背光面4均沿背光面4至出光面3方向倾斜设置，定义出光面3和背光面4与水平方向所成钝角为倾斜角α，α的取值为100°～110°； 所述出光面3镀AR反射膜5，反射率为0.5～50％；所述背光面4镀HR反射膜6，反射率大于90％； 所述外延层2包括依次设置的缓冲层22、第一限制层23、第一波导层24、有源区25、第二波导层26和第二限制层27； 所述缓冲层22与衬底层1连接，所述金属层21设置在第二限制层27上。
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