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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116032240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211677918.0，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器是由蔡耀;许秉乾;孙成亮;邹杨;周禹;杨婷婷;国世上;刘炎设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器，抑制现有薄膜体声波谐振器因加工中产生的材料C轴取向不一致导致的横向伪模式，将谐振器的纵向振动限制在上下电极覆盖部分的压电薄膜，提升谐振器品质因数。本发明基于FBAR的空气隙结构，在传统的上电极‑压电薄膜‑下电极的三明治结构中引入声子晶体作为侧边声波抑制结构，使得FBAR中横向传播的伪模态被抑制，减少了杂波。本发明设计的声子晶体的具体单元结构为：1.环绕传统多边形上下电极的电极群，从而减小电极区域的能量泄露；2.贯穿压电薄膜的图案化孔洞，从而将声波能量约束上下电极覆盖的压电薄膜区域内，即解决横向伪模态的声波传输，从而显著提升品质因数。

本发明授权基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器在权利要求书中公布了：1.一种基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括衬底、衬底中刻蚀出的空腔、衬底上依次设置的缓冲层、种子层、压电堆叠结构、贯穿压电薄膜的空气柱构成的声子晶体，和环绕压电堆叠结构的电极群； 所述空腔位于衬底上且位于种子层与压电堆叠结构下方； 所述压电堆叠结构从上至下分别为上电极，压电薄膜和下电极，上、下电极的形状均为五边形； 所述种子层在缓冲层与压电堆叠结构中间，种子层材料与压电薄膜材料一致； 所述环绕压电堆叠结构的电极群在空间上均匀分布在五边形的上、下电极的周围，电极群围成的图案也为五边形、方形或圆形中的任一种； 所述空腔形状为圆形或任意多边形； 所述环绕压电堆叠结构的电极群形状为长方体、三棱柱、圆柱、正六边形柱体中的一种或多种； 所述贯穿压电薄膜的空气柱形状为长方体，三棱柱，圆柱，正六边形柱体中的一种或多种；由空气柱构成的声子晶体拓扑结构在空间平面上围成的图案为五边形、圆形或方形中任一种。

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