东京毅力科创株式会社横山乔大获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310013829.4，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权蚀刻方法是由横山乔大;户村幕树;木原嘉英;须田隆太郎;大类贵俊;田中康基设计研发完成，并于2020-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法在说明书摘要公布了：本申请所公开的蚀刻方法包括工序a，所述工序a在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序b，所述工序b通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
本发明授权蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其是用于对含硅膜进行蚀刻的等离子体处理装置，其具备： 腔室； 基板支撑器，该基板支撑器设置于所述腔室内； 气体供给部，该气体供给部构成为将包含氟化氢气体及含磷气体的处理气体供给至所述腔室内； 等离子体生成部，该等离子体生成部构成为由所述处理气体生成等离子体；及 控制部，该控制部构成为为了对通过所述基板支撑器支撑的所述基板的所述含硅膜进行蚀刻，控制所述气体供给部以将所述处理气体供给至所述腔室内，并且控制所述等离子体生成部以由所述腔室内的所述处理气体生成等离子体， 所述处理气体中的第2气体的流量相对于第1气体的流量之比即流量比大于0且为0.5以下， 所述第1气体为所述处理气体中包含的除了所述含磷气体以外的所有气体，所述第2气体为所述含磷气体。
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