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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190485B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211705410.7，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法是由余黎静;唐利斌;田品;郝群;钟和甫;左文彬;雷晓虹;邓功荣;王静宇;黄俊博;冯江敏;袁俊;龚晓霞;施静梅设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该探测器包括衬底；ITO透明电极层，形成于所述衬底上；AZO功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于AZO功能层上；碲化铋Bi2Te3电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，AZO功能层通过磁控的方法实现，PbS量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋Bi2Te3通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明探测器，通过小尺寸的PbS量子点与宽响应波段和高吸收率的Bi2Te3材料结合，所设计的ITOAZOPbSCQDsBi2Te3Al的能带排列结构不仅为电荷分离传输提供了便利，从而提高器件性能。

本发明授权能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.能级调控PbS量子点光电探测器的制备方法，其特征在于制备方法包括以下步骤： 步骤1，清洗已在表面制备ITO或FTO透明电极的透明衬底； 步骤2，在已制备ITO或FTO透明电极的透明衬底上磁控溅射一层AZO薄膜，溅射在室温下进行，溅射功率为140-220W、Ar流量为60-100sccm，溅射压强为3-10Pa，溅射时间20-100min； 步骤3，在溅射完AZO的衬底上，旋涂PbS量子点，旋涂转速为2000-2500rpm，旋涂时间为20-40s；旋涂PbS量子点5-10层； 其中，PbS量子点的溶剂为正辛烷或正己烷，浓度为10-50mgmL，每旋涂完一层量子点，进行TBAI配体交换，交换时间为30-60s，交换完后用甲醇进行清洗； 步骤4，在PbS量子点薄膜上磁控溅射一层Bi2Te3薄膜，溅射在室温下进行，溅射功率为150-200W、Ar流量为60-100sccm，溅射压强为3-10Pa，溅射时间1-5s； 步骤5，Bi2Te3薄膜上镀膜生长一层Al电极，使用物理气相沉积法镀涂Al电极，蒸镀时间为2-10min，构筑完成探测器; 所述PbS量子点的尺寸为3nm。

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