上海江波龙微电子技术有限公司丁知民获国家专利权
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龙图腾网获悉上海江波龙微电子技术有限公司申请的专利一种NAND闪存器件的缺陷记录方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111522025.4，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权一种NAND闪存器件的缺陷记录方法和装置是由丁知民;马庆容;楼冰泳设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NAND闪存器件的缺陷记录方法和装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种用于NAND闪存器件的缺陷记录方法，用于包括多个存储单元的NAND闪存器件，其中所述多个存储单元组成多个块和多个列；所述方法包括以下步骤：S1，建立NAND闪存器件的块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表；S2，对所述NAND闪存器件进行缺陷测试，根据缺陷测试结果更新所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表；S3，将更新后的所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表合并形成为所述NAND闪存器件的缺陷记录数据。本申请还提供用于实现上述方法的装置。
本发明授权一种NAND闪存器件的缺陷记录方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种用于NAND闪存器件的缺陷记录方法，用于包括多个存储单元的NAND闪存器件，其中所述多个存储单元组成多个块和多个列；其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1，建立NAND闪存器件的块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表； S2，对所述NAND闪存器件进行缺陷测试，根据缺陷测试结果更新所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表； S3，将更新后的所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表合并形成为所述NAND闪存器件的缺陷记录数据。
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