江西兆驰半导体有限公司张雪获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310432455.X，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种LED芯片及其制备方法是由张雪;李美玲;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过在LED芯片的电极上环设绝缘层，由于绝缘层环绕设置于电极上，即电极之间金属迁移的路径上，可以对LED芯片中PN电极之间的横向金属迁移速率进行限制，又由于绝缘层的厚度大于等于电极厚度，可以对LED芯片中PN电极之间的横向金属迁移方向进行限制，最终使得电极脱落的状况得到改善，具体的，因为绝缘层包括相互配合使用的第一绝缘子层和第二绝缘子层，折射率小的第一绝缘子层可以使得Si‑N键结数量降低，提升抗高逆压性能，折射率大的第二绝缘子层可以使得致密性得到提高，避免水汽进入，从而进一步改善电极脱落的状况。
本发明授权一种LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括电极以及环设于所述电极的绝缘层，所述绝缘层包括相互配合使用的第一绝缘子层和第二绝缘子层，所述绝缘层的厚度大于等于所述电极的厚度，其中，所述第一绝缘子层的折射率小于所述第二绝缘子层的折射率； 所述第二绝缘子层沉积于所述第一绝缘子层上，且所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层的形状大小一致； 或者， 所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层依次环设于所述电极，且所述第一绝缘子层与所述电极之间的间距与所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层之间的间距相同； 所述第一绝缘子层的折射率为1.4~1.5，所述第二绝缘子层的折射率为1.45~1.55。
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