昆明理工大学田阳获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种真空蒸馏炉及高纯铜颗粒的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116516158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310517685.6，技术领域涉及：C22B9/02；该发明授权一种真空蒸馏炉及高纯铜颗粒的制备方法是由田阳;王东;杨斌;徐宝强;蒋文龙;李一夫;王飞;梁栋;于昊松;王双平;李青松设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空蒸馏炉及高纯铜颗粒的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种真空蒸馏炉及高纯铜颗粒的制备方法，涉及高纯金属制备技术领域。本发明针对目前工业生产高纯铜颗粒时，传统方法得到的高纯铜难以达到理想的纯度，杂质含量高、组成复杂的问题，利用真空蒸馏的方法，使其在真空蒸馏处理过程中，铜基体中大部分有价金属挥发进入气相，与铜基分离，铜纯度达99.9991％，实现了铜的纯化，挥发至冷凝盘上的铜粉颗粒表面光滑，纯度在5N以上，可以用于催化剂掺杂、医疗化工等领域。本发明采用真空蒸馏法，可获得5N级以上的高纯铜冷凝物，同时使铜粉颗粒得到了富集收集，该方法缩短了工艺流程，不需要处理废液，具有成本低、无污染的特点。
本发明授权一种真空蒸馏炉及高纯铜颗粒的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯铜颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将金属铜原料置于真空蒸馏炉的蒸发室中，进行真空蒸馏，在冷凝盘得到高纯铜颗粒；所述真空蒸馏的真空度为0.1~100Pa，所述真空蒸馏的温度为1100~1800℃；所述高纯铜颗粒的粒径为1~100μm； 所述真空蒸馏炉的冷凝盘和蒸发室之间设置有挥发孔板；所述挥发孔板的孔径为1~8mm； 所述挥发孔板的形状为圆锥盘形； 所述挥发孔板为铬板。
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