中芯国际集成电路制造(上海)有限公司康吉祥获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利掩膜版和芯片的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116560193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109341.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权掩膜版和芯片的形成方法是由康吉祥;王雪梅;韦亚婷;陈福刚;陈文甫设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜版和芯片的形成方法在说明书摘要公布了：一种掩膜版和芯片的形成方法，其中掩膜版包括：若干中心曝光区，所述中心曝光区包括若干中心电路图形；若干外围曝光区，各所述外围曝光区均包括切割道曝光区以及与切割道曝光区周围的第一拼接曝光区，所述第一拼接曝光区内包括分别位于切割道曝光区相对两侧的第一拼接曝光边区和第二拼接曝光边区；位于所述第一拼接曝光边区内具有第一标识，位于所述第二拼接曝光边区内具有第二标识，所述第二标识和所述第一标识相互对应，所形成的芯片尺寸不受掩膜版尺寸的限制，提高了大尺寸芯片的制造能力，还可以在形成的芯片的切割道区形成完整且规律分布的套刻对准标识，用于对器件进行套刻精度检测，提高套刻水平。
本发明授权掩膜版和芯片的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版，其特征在于，包括： 若干中心曝光区，所述中心曝光区包括若干中心电路图形、以及位于所述若干中心电路图形周围的第二拼接曝光区，所述第二拼接曝光区包括相对的第三拼接曝光边区和第四拼接曝光边区； 位于所述第三拼接曝光边区内具有第三标识，位于所述第四拼接曝光边区内具有第四标识，所述第四标识和所述第三标识相互对应；若干外围曝光区，各所述外围曝光区均包括切割道曝光区以及与切割道曝光区周围的第一拼接曝光区，所述第一拼接曝光区内包括分别位于切割道曝光区相对两侧的第一拼接曝光边区和第二拼接曝光边区； 位于所述第一拼接曝光边区内具有第一标识，位于所述第二拼接曝光边区内具有第二标识，所述第二标识和所述第一标识相互对应。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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