株式会社博迈立铖末永和史获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社博迈立铖申请的专利氮化硅基板、氮化硅基板的评价方法、评价装置、评价系统及氮化硅电路基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116660236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310014984.8，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权氮化硅基板、氮化硅基板的评价方法、评价装置、评价系统及氮化硅电路基板是由末永和史;福本怜;加贺洋一郎设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化硅基板、氮化硅基板的评价方法、评价装置、评价系统及氮化硅电路基板在说明书摘要公布了：本发明提供一种不易产生颜色不均的氮化硅基板、氮化硅基板的评价方法、评价装置、评价系统及氮化硅电路基板。一种氮化硅基板，其具有第一面和与所述第一面相反侧的第二面。在作为所述第一面和所述第二面中的一个面的测定面中，通过以下的测定方法测定的平均半值宽度Cave的值大于0cm‑1且小于5.32cm‑1。平均半值宽度Cave的测定方法：将所述测定面的中央部1点和边缘部4点作为测定点，在所述测定点分别测定拉曼光谱，在所测定的各个所述拉曼光谱中，算出在850cm‑1以上且875cm‑1以下的范围内取得最大强度的光谱峰的半值宽度C，将计算出的上述半值宽度C的平均值作为平均半值宽度Cave。
本发明授权氮化硅基板、氮化硅基板的评价方法、评价装置、评价系统及氮化硅电路基板在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅基板，其为具有第一面和与所述第一面相反侧的第二面的、将包含硅的片状成型体进行氮化而成的氮化硅基板， 所述氮化硅基板的平面形状为矩形形状， 所述氮化硅基板的各边的长度为100mm以上， 在作为所述第一面和所述第二面中的一个面的测定面中，通过以下的测定方法测定的平均半值宽度Cave的值大于0cm-1且小于5.32cm-1， 平均半值宽度Cave的测定方法：将所述测定面的中央部1点和边缘部4点作为测定点，在所述测定点分别测定拉曼光谱，在所测定的各个所述拉曼光谱中，算出在850cm-1以上且875cm-1以下的范围内取得最大强度的光谱峰的半值宽度C，将计算出的所述半值宽度C的平均值作为平均半值宽度Cave。
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