昆明学院何红星获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明学院申请的专利磁性核壳型镉离子印迹聚合物及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116813847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310559617.6，技术领域涉及：C08F292/00；该发明授权磁性核壳型镉离子印迹聚合物及其制备方法和应用是由何红星;张炜业;叶思卿;邓秀君;张毅;李维莉设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性核壳型镉离子印迹聚合物及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种新型磁性核壳型镉离子印迹聚合物及其制备方法和应用，属于高分子材料技术领域。本发明以SiO2包覆的纳米Fe3O4为载体，PBTCA作为配体，MBA作为交联剂，利用表面印迹技术和化学接枝制备得到了新型磁性核壳型镉离子印迹聚合物，对Cd2+的最大吸附容量可达29.82mgg，吸附过程在20min内即可达到基本平衡，整个吸附过程符合准二级动力学模型和Langmuir等温吸附模型。该印迹聚合物对Cd2+的吸附是一个自发、吸热、熵增的过程，且在含有Cd2+、Ni2+、Co2+、Zn2+的混合溶液中，对Cd2+的分配系数达643.3mLg，证明其具有选择性吸附Cd2+离子能力。
本发明授权磁性核壳型镉离子印迹聚合物及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种磁性核壳型镉离子印迹聚合物，其特征在于，所述印迹聚合物包括四氧化三铁Fe3O4纳米粒子、硅酸四乙酯TEOS、乙烯基三甲氧基硅烷VTMOS、模板离子Cd2+、2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸PBTCA、双丙烯酰胺MBA；其中，所述Fe3O4纳米粒子表面用TEOS和VTMOS改性，Cd2+、PBTCA和MBA形成的聚合物负载在改性后的Fe3O4表面。
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